BSS214NH6327XTSA1 vs BSS314PEH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS214NH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS314PEH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 - -30V P-Ch 1.5A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS314PEH6327XTSA1 - -30V P-Ch 1.5A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS314PEH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS214NH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.09 $0.15
FET Type N-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — -1.5 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 500 mW
RDS(on) max @ VGS=-10V — 140 mOhm
RDS(on) max @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) — -4.5 V, -10 V
Pin Configuration — G-D-S (Gate, Drain, Source)

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