BSS806NEH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS806NEH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSL316CH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS806NEH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.14 $0.22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS806NEH6327XTSA1 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V (maximum) 30 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-Resistance RDS(on) 57 mOhm (maximum) —
パッケージ PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) 6
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Yes (compliant) —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Part Family — OptiMOS small-signal complementary MOSFET
Configuration — Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package)
Continuous Drain Current (N-channel ID) — 1.4 A
Continuous Drain Current (P-channel ID) — 1.5 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
動作温度 — -55C to +150C (junction)
Technology — OptiMOS low-voltage MOSFET
Channel Type — N-channel + P-channel (dual)
RoHS ステータス — Compliant
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]

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