BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 比較
詳細な並列比較: BSZ011NE2LS5IATMA1 メーカー: Infineon および BSZ018NE2LSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSZ011NE2LS5IATMA1 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.55 | $0.39 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 40 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 4.5 V to 10 V | — |
| 動作温度範囲 | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ018NE2LSIATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.8 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 69 W |