BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ011NE2LS5IATMA1 от Infineon и BSZ018NE2LSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon

BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon

BSZ018NE2LSIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,55 $0,39
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS (Infineon trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C -55 C to +150 C
Корпус PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Без галогенов Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ018NE2LSIATMA1
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.8 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 69 W

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену