BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ031NE2LS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSZ0901NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ0901NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.26 $0.34
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
動作接合温度 -55 C to +150 C —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
Series — OptiMOS 25V
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
ピン数 — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
動作温度範囲 — -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

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