BSZ0901NSIATMA1 vs BSC190N12NS3GATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ0901NSIATMA1 メーカー: Infineon および BSC190N12NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSZ0901NSIATMA1 BSC190N12NS3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.34 $0.89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0901NSIATMA1 BSC190N12NS3GATMA1
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A 8.6 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: Qg typ]
動作温度範囲 -55 C to +150 C (typical MOSFET range) -55C to +150C
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (JESD-609 Code e3)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Avalanche Rated — Yes (UIS-tested)
Body Diode — Integrated
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration — Single with built-in diode

データシート&リソース

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