BSZ0904NSIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ0904NSIATMA1 メーカー: Infineon および BSZ0901NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ0904NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $0.34
Technology OptiMOS (N-channel power MOSFET) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 18 A 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 4 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Power Dissipation at Ta 2.1 W —
Power Dissipation at Tc 37 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
動作温度範囲 -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Integrated Schottky-like Diode Yes (monolithic) —
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Lead Plating Pb-free —
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
ピン数 — 8
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

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