BSZ0904NSIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ0904NSIATMA1 от Infineon и BSZ0901NSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ0904NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,49 $0,34
Technology OptiMOS (N-channel power MOSFET) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 18 A 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 4 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Power Dissipation at Ta 2.1 W —
Power Dissipation at Tc 37 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Диапазон рабочих температур -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Корпус PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Integrated Schottky-like Diode Yes (monolithic) —
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Lead Plating Pb-free —
Статус RoHS Compliant Compliant
Без галогенов Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
Число выводов — 8
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену