BSZ096N10LS5ATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ096N10LS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSZ065N03LSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ065N03LSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.94 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) 20 V (typical) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) 40 A —
Maximum Silicon Drain Current (ID max) 62 A —
Pulse Drain Current (ID,pulse) 160 A —
On-Resistance RDS(on) max 9.6 mΩ at VGS=10 V —
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (low single-volt range) —
Diode Continuous Forward Current (IS) 40 A (TC=25 °C) —
Diode Forward Voltage (VSD) 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C (junction)
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS)
Gate Drive Logic-level compatible —
ESD Protection Yes (gate-integrated) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Code ATMA1 (tape and reel) —
Series — OptiMOS 30V
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 26 W
パッケージ / ケース — PG-TSDSON-8-FL (S308)
Configuration — Single N-Channel
MSLレベル — 1
Gate Drive (typical) — 4.5 V

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