BSZ096N10LS5ATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 비교

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Infineon
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ065N03LSATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.94 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) 20 V (typical) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) 40 A —
Maximum Silicon Drain Current (ID max) 62 A —
Pulse Drain Current (ID,pulse) 160 A —
On-Resistance RDS(on) max 9.6 mΩ at VGS=10 V —
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (low single-volt range) —
Diode Continuous Forward Current (IS) 40 A (TC=25 °C) —
Diode Forward Voltage (VSD) 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A —
패키지 PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C (junction)
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS)
Gate Drive Logic-level compatible —
ESD Protection Yes (gate-integrated) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Packaging Code ATMA1 (tape and reel) —
Series — OptiMOS 30V
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 26 W
패키지 / 케이스 — PG-TSDSON-8-FL (S308)
Configuration — Single N-Channel
MSL 레벨 — 1
Gate Drive (typical) — 4.5 V

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