BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 比較
詳細な並列比較: BSZ110N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC047N08NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSZ110N08NS5ATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.44 | $0.46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| 動作温度範囲 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |