BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon e BSC047N08NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSZ110N08NS5ATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,44 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| Encapsulamento | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |