BSZ110N08NS5ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 比較
詳細な並列比較: BSZ110N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N009ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSZ110N08NS5ATMA1 | IAUCN04S7N009ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.44 | $1.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | Single N-Channel |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| 動作温度範囲 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | — | 0.96 mΩ |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | — | 10 V |
| 動作温度 | — | -55C to +175C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Supplier Device Package | — | PG-TDSON-8-34 |