BSZ110N08NS5ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ110N08NS5ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N009ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ110N08NS5ATMA1 | IAUCN04S7N009ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,44 | $1,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | Single N-Channel |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | — | 0.96 mΩ |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | — | 10 V |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Supplier Device Package | — | PG-TDSON-8-34 |