BTS3118NHUMA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BTS3118NHUMA1 メーカー: Infineon および BSS214NWH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BTS3118NHUMA1 BTS3118NHUMA1 - 2.17A Smart Low-Side Switch | Infineon

BTS3118NHUMA1 - 2.17A Smart Low-Side Switch | Infineon

BTS3118NHUMA1 ✓ 生産中
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BTS3118NHUMA1 BSS214NWH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.15
FET Type N-Channel N-Channel
Switch Type Low-Side Power Switch —
出力構成 1:1 —
出力数 1 —
Continuous Drain Current 2.17 A —
Operating Voltage (Vbb) 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected) —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C] —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible) —
Input Protection ESD protected —
Thermal Protection Thermal shutdown with latch —
Fault Protection Overload, short-circuit, overvoltage, current limit —
パッケージ PG-SOT223-4 PG-SOT323 (SOT-323-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40 C to +150 C junction -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Process Technology Smart SIPMOS (vertical N-channel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS214NWH6327XTSA1
Series — OptiMOS
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes

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