BTS3118NHUMA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BTS3118NHUMA1 por Infineon e BSS214NWH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BTS3118NHUMA1 BSS214NWH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,15
FET Type N-Channel N-Channel
Switch Type Low-Side Power Switch —
Configuração de saída 1:1 —
Número de saídas 1 —
Continuous Drain Current 2.17 A —
Operating Voltage (Vbb) 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected) —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C] —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible) —
Input Protection ESD protected —
Thermal Protection Thermal shutdown with latch —
Fault Protection Overload, short-circuit, overvoltage, current limit —
Encapsulamento PG-SOT223-4 PG-SOT323 (SOT-323-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40 C to +150 C junction -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Process Technology Smart SIPMOS (vertical N-channel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS214NWH6327XTSA1
Series — OptiMOS
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação