BTS3118NHUMA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BTS3118NHUMA1 제조: Infineon 및 BSS214NWH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BTS3118NHUMA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | Power MOSFET Drivers | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.62 | $0.15 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Switch Type | Low-Side Power Switch | — |
| 출력 구성 | 1:1 | — |
| 출력 수 | 1 | — |
| Continuous Drain Current | 2.17 A | — |
| Operating Voltage (Vbb) | 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C] | — |
| Input Logic Level | Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible) | — |
| Input Protection | ESD protected | — |
| Thermal Protection | Thermal shutdown with latch | — |
| Fault Protection | Overload, short-circuit, overvoltage, current limit | — |
| 패키지 | PG-SOT223-4 | PG-SOT323 (SOT-323-3) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40 C to +150 C junction | -55C to +150C (junction) |
| RoHS Compliance | Green product, RoHS compliant | — |
| Process Technology | Smart SIPMOS (vertical N-channel) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS214NWH6327XTSA1 |
| Series | — | OptiMOS |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 1.5 A |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 250 mOhm |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 500 mW |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |