CGD65C025SP2 vs CGD65A055S2 比較

詳細な並列比較: CGD65C025SP2 メーカー: Cambridge GaN Devices および CGD65A055S2 メーカー: Cambridge GaN Devices。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 ✓ 生産中
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CGD65A055S2 CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices

CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices

CGD65A055S2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ CGD65C025SP2 CGD65A055S2
ブランド Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
カテゴリ MOSFETs Transistors
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.10 $2.85
Manufacturer Cambridge GaN Devices (CGD) Cambridge GaN Devices
Part Number CGD65C025SP2 —
トランジスタタイプ N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) —
Gate Technology ICeGaN® (no negative gate supply required) ICeGaN™ (standard-driver compatible)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) 60 A —
On-Resistance (R_DS(on)) 25 mΩ (typical) —
パッケージ BHDFN-9-1 (surface-mount, wettable flank) 16-pin DFN 8x8 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Operating Mode Enhancement mode (normally-off) Enhancement-mode (normally-off)
Material GaN-on-Si (Gallium Nitride on Silicon) —
Switching Frequency Suitability High frequency (fast turn-on, easy paralleling) —
Datasheet Status Preliminary (May 2024) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (lead-free)
AEC-Q100 Qualification unknown —
Technology — GaN-on-Si HEMT (enhancement mode)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ
連続ドレイン電流(TC=25°C) — 27 A
Current Sense Pin — Yes (integrated CS output)
Integrated Protection Circuit — NL³ (non-linear low-loss)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (zero, typical for GaN)
Channel Type — N-Channel
Polarity — Single FET

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