EDB5432BEBH-1DAUT-F-D vs EDB2432B4MA-1DAUT-F-D 比較

詳細な並列比較: EDB5432BEBH-1DAUT-F-D メーカー: Micron Technology および EDB2432B4MA-1DAUT-F-D メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D EDB5432BEBH-1DAUT-F-D - 512Mb LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D - 512Mb LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D ✓ 生産中
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EDB2432B4MA-1DAUT-F-D EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ EDB5432BEBH-1DAUT-F-D EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.45 $7.43
メモリタイプ Mobile LPDDR2 SDRAM Volatile Memory - DRAM
メモリサイズ 512 Mbit 2 Gbit (64M x 32)
メモリ構成 16M x 32 64M x 32
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.95 V —
Core Voltage 1.2 V (typical, LPDDR2) —
インターフェース Parallel Parallel
パッケージ 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive —
Terminals 134 balls —
Terminal Form Ball (VFBGA) —
Package Shape Rectangular —
RoHS Code Yes (D suffix, lead-free) —
Part Life Cycle Code Active —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C (Automotive)
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Standard Qty per Reel/Tray [DATA_NEEDED: packaging standard quantity] —
Technology — SDRAM - Mobile LPDDR2
Package Construction — DDP (Double-Die Package)
Marking Code — D9WVG
Part Status — Active
Lead-Free Status — Lead free (-F suffix)
Halogen-Free Status — Halogen free (-F suffix)
電源電圧 — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage]
Write Cycle Time - Word, Page — [DATA_NEEDED: write cycle time]

データシート&リソース

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