H58G66CK8BX147N vs MT53E2G64D8TN-046 比較

詳細な並列比較: H58G66CK8BX147N メーカー: SK hynix および MT53E2G64D8TN-046 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H58G66CK8BX147N H58G66CK8BX147N - 8GB LPDDR5X-8533 DRAM FBGA-315 | SK hynix

H58G66CK8BX147N - 8GB LPDDR5X-8533 DRAM FBGA-315 | SK hynix

H58G66CK8BX147N ✓ 生産中
Micron Technology
MT53E2G64D8TN-046 MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H58G66CK8BX147N MT53E2G64D8TN-046
ブランド SK hynix Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $34.60 $0.00
メモリタイプ LPDDR5X SDRAM Mobile LPDDR4X SDRAM
Density 64 Gbit (8 GB) —
メモリ構成 x8 (single channel) 2G x 64
Maximum Data Rate 8533 Mbps —
Supply Voltage Domain 0.5 V to 1.8 V —
Core Voltage Class 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) —
パッケージ 315-ball FBGA 556-ball LFBGA (12.4 mm x 12.4 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Standard Compliance JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) —
インターフェース LPDDR5/LPDDR5X protocol Parallel
Channel Configuration Single channel (x8 or x16 capable family) —
Power Management Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) —
Application Domain Smartphone, AI edge, server-class mobile computing —
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Refresh Scheme LPDDR5 per-bank / all-bank refresh —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
メモリサイズ — 128 Gbit (16 GB)
Clock Frequency — 2.133 GHz
Access Time — 3.5 ns
Speed Grade — -046 (4266 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V / 1.8 V (per variant)
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch]
Operating Temperature (AAT:C) — 0C to +95C
Operating Temperature (AIT:C) — -40C to +95C
Operating Temperature (AUT:C) — -40C to +105C
Automotive Qualification (AUT variant) — AEC-Q100 qualified
データバス幅 — 64 bit
Write Cycle Time — 18 ns

データシート&リソース

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