H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKIR 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-VKC メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-VKIR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ 生産中
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H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKIR
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.40 $1.98
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
データレート 2666 Mbps (DDR4-2666) 2666 Mbps per pin
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
パッケージ FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Volatile / Non-Volatile Volatile —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) —
Packaging Tray —
ライフサイクル状態 Active —
Density — 4 Gb
メモリ構成 — 512M x 8
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

データシート&リソース

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