H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKIR 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN4G8NBJR-VKIR 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-VKIR |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.40 | $1.98 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2666 Mbps per pin |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| 패키지 | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | [DATA_NEEDED: refresh interval specification] |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | — |
| Packaging | Tray | — |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| Density | — | 4 Gb |
| 메모리 구성 | — | 512M x 8 |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40C to +85C (case) |
| Extended Temperature Range | — | +85C to +95C (case, per datasheet conditions) |
| Product Family | — | H5AN4G4/6/8NBJR series |
| Speed Grade Code | — | -VKI |
| Packing Suffix | — | R (Tape & Reel) |
| VPP Supply | — | [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |