H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKIR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-VKC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKIR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKIR
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,40 $1,98
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
Скорость передачи данных 2666 Mbps (DDR4-2666) 2666 Mbps per pin
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Корпус FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
Статус RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) —
Packaging Tray —
Статус жизненного цикла Active —
Density — 4 Gb
Организация памяти — 512M x 8
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену