H5AN8G4NAFR-PBC vs MT40A1G8AG-062E 比較

詳細な並列比較: H5AN8G4NAFR-PBC メーカー: SK hynix および MT40A1G8AG-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G4NAFR-PBC MT40A1G8AG-062E
ブランド SK hynix Micron Technology
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.55 $3.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
メモリ構成 2Gb x 4 1G x 8
Interface Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V +/- 0.06 V —
Wordline Pump Voltage (VPP) 2.5 V (+0.25/-0.125 V) —
Speed Bins (per datasheet) DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) —
Bank Groups 4 (BG0-BG1) —
Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Row Address A0-A16 (17 bits) —
パッケージ 78-ball FBGA 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
Technology CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (RoHS Compliant per datasheet) —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] —
Geardown Mode Note DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled —
メモリサイズ — 8 Gbit
インターフェース — Parallel
Clock Frequency — 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate)
Clock Cycle Time — 19 ns class (-062E speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Access Time (CAS Latency class) — DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
Termination — On-Die Termination (ODT)
CA Parity — Supported (DDR4 command/address parity)
Packaging Option — Tape and Reel (TR / :R suffix)
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]

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