H5AN8G4NCJR-XXC vs H5AN8G6NCJR-XXC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G4NCJR-xxC メーカー: SK hynix および H5AN8G6NCJR-xxC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.50 $6.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
メモリ構成 x4 (H5AN8G4NCJR) 512M x 16
電源電圧 1.2V —
データレート [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] 2666 Mbps (VKC speed grade)
パッケージ FBGA 96-ball FBGA
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Prefetch 8-bit —
Burst Length 8 (BL8) 8, 4 (with burst chop)
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
VPP Supply — 2.5 V
Operating Temperature (TC) — 0°C to 95°C
Number of Banks — 8
On-Die Termination (ODT) — Supported
Self-Refresh — Temperature-compensated (TCSR)

データシート&リソース

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