H5AN8G4NCJR-XXC vs H5AN8G6NCJR-XXC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G4NCJR-xxC por SK hynix e H5AN8G6NCJR-xxC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G4NCJR-xxC | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,50 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | x4 (H5AN8G4NCJR) | 512M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.2V | — |
| Taxa de dados | [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| Encapsulamento | FBGA | 96-ball FBGA |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Prefetch | 8-bit | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |