H5AN8G4NCJR-XXC vs H5AN8G6NCJR-XXC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G4NCJR-xxC от SK hynix и H5AN8G6NCJR-xxC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G4NCJR-xxC | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,50 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | x4 (H5AN8G4NCJR) | 512M x 16 |
| Напряжение питания | 1.2V | — |
| Скорость передачи данных | [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| Корпус | FBGA | 96-ball FBGA |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Prefetch | 8-bit | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |