H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G8NAFR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NAFR-RDC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NAFR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.05 $2.95
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
メモリ構成 512M x 16 1G x 8 (x8)
電源電圧 1.2 V —
インターフェース DDR4 (JEDEC-standard) DDR4 (Double Data Rate 4)
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) -RDC (DDR4-2666 class)
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Density — 8 Gbit
データレート — 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
パッケージ — 78-ball FBGA
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

データシート&リソース

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