H5AN8G6NCJR-PBC vs H5AN8G6NAFR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NCJR-PBC メーカー: SK hynix および H5AN8G6NAFR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NCJR-PBC H5AN8G6NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NCJR-PBC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NCJR-PBC H5AN8G6NAFR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.30 $3.05
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 8Gb x16 (512M x 16) —
メモリサイズ 8 Gbit —
データレート [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] —
Family Data Rate Range Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
インターフェース Parallel, synchronous to both clock edges DDR4 (JEDEC-standard)
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Memory Density — 8 Gb
メモリ構成 — 512M x 16
電源電圧 — 1.2 V
Access Mode — Multi Bank Page Burst
Package Code — TFBGA
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing)
Technology — CMOS
Speed Grade — -RDC (see datasheet for bin timing)
Family — H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Max Clock Rate — [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin]

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