H5AN8G6NCJR-VKC vs NT5AD512M16A4-HR 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NCJR-VKC メーカー: SK hynix および NT5AD512M16A4-HR メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ 生産中
Nanya Technology
NT5AD512M16A4-HR NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NCJR-VKC NT5AD512M16A4-HR
ブランド SK hynix Nanya Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $60.00 $8.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
データレート 2666 Mbps 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
動作温度 0°C to +95°C 0°C to +95°C
パッケージ FBGA-96 TFBGA-96
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
RoHS Compliant —
電源電圧 — 1.2 V
実装タイプ — Surface Mount
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes

データシート&リソース

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