H5AN8G6NCJR-VKC vs NT5AD512M16A4-HR Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix y NT5AD512M16A4-HR por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NCJR-VKC | NT5AD512M16A4-HR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $60,00 | $8,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Encapsulado | FBGA-96 | TFBGA-96 |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |