H5AN8G6NCJR-VKC vs NT5AD512M16A4-HR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix e NT5AD512M16A4-HR por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G6NCJR-VKC | NT5AD512M16A4-HR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $60,00 | $8,10 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Taxa de dados | 2666 Mbps | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Encapsulamento | FBGA-96 | TFBGA-96 |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |