H5AN8G6NCJR-XXC vs K4B4G1646D-BYK00 比較
詳細な並列比較: H5AN8G6NCJR-xxC メーカー: SK hynix および K4B4G1646D-BYK00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | H5AN8G6NCJR-xxC | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $7.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 256M x 16 |
| データレート | 2666 Mbps (VKC speed grade) | 1600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Supply | 2.5 V | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to 95°C | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Self-Refresh | Temperature-compensated (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| 電源電圧 | — | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| 動作温度 | — | 0°C to 85°C |
| CASレイテンシ | — | Programmable |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |