H5AN8G6NCJR-XXC vs K4B4G1646D-BYK00 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NCJR-xxC por SK hynix e K4B4G1646D-BYK00 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G6NCJR-xxC | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $7,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 2666 Mbps (VKC speed grade) | 1600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Supply | 2.5 V | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to 95°C | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Self-Refresh | Temperature-compensated (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperatura de operação | — | 0°C to 85°C |
| Latência CAS | — | Programmable |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |