H5AN8G6NCJR-XXC vs K4B4G1646D-BYK00 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-xxC 제조: SK hynix 및 K4B4G1646D-BYK00 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NCJR-xxC | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $7.50 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (VKC speed grade) | 1600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Supply | 2.5 V | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to 95°C | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Self-Refresh | Temperature-compensated (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 공급 전압 | — | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| 동작 온도 | — | 0°C to 85°C |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |