H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NDJR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN8G6NCJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NCJR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $34.60 $60.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
パッケージ FBGA-96 (13x7.5 mm) FBGA-96
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
データレート — 2666 Mbps
動作温度 — 0°C to +95°C
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Burst Length — 8 (BC4)
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]

データシート&リソース

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