H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NDJR-UHC от SK hynix и H5AN8G6NCJR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NCJR-VKC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $34,60 $60,00
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
Корпус FBGA-96 (13x7.5 mm) FBGA-96
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Без галогенов Yes Yes
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
Скорость передачи данных — 2666 Mbps
Рабочая температура — 0°C to +95°C
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Burst Length — 8 (BC4)
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену