H5AN8G6NDJR vs NT5AD512M16A4-GZ 比較
詳細な並列比較: H5AN8G6NDJR メーカー: SK hynix および NT5AD512M16A4-GZ メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G6NDJR | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Nanya Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $35.00 | $8.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| データレート | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2V |
| パッケージ | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | TFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CASレイテンシ | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | Four Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 特長 | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| 最大クロック周波数 | — | 1200 MHz |
| データバス幅 | — | 16 bits |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| 動作温度範囲 | — | Commercial and Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |