H5AN8G6NDJR vs NT5AD512M16A4-GZ Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR par SK hynix et NT5AD512M16A4-GZ par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $35,00 | $8,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2V |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | TFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latence CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | Four Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Fréquence d'horloge maximale | — | 1200 MHz |
| Largeur du bus de données | — | 16 bits |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Plage de température de fonctionnement | — | Commercial and Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |