H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-XNC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-RDC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-XNC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.70 $30.69
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb (1 GB) —
メモリ構成 x8 1 Gb x 8
データレート up to 2666 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
電源電圧 1.2 V (VDD) 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal)
インターフェース DDR4 (JEDEC standard) DDR4 (8-bit data interface)
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] 0 C to +85 C
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] —
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
メモリサイズ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Architecture — Bank-group based DDR4
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Calibration — ZQ calibration, write leveling
Error Handling — CRC function
Reset — Asynchronous reset
Data Mask — Data mask function
Current - Operating — 39 mA
Current - Standby — 30 mA
Lead-Free / Halogen-Free — Yes

データシート&リソース

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