H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-XNC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NCJR-RDC от SK hynix и H5AN8G8NCJR-XNC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-XNC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,70 $30,69
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb (1 GB) —
Организация памяти x8 1 Gb x 8
Скорость передачи данных up to 2666 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
Напряжение питания 1.2 V (VDD) 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal)
Интерфейс DDR4 (JEDEC standard) DDR4 (8-bit data interface)
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] 0 C to +85 C
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] —
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
Без галогенов Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant
Размер памяти — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Architecture — Bank-group based DDR4
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Calibration — ZQ calibration, write leveling
Error Handling — CRC function
Reset — Asynchronous reset
Data Mask — Data mask function
Current - Operating — 39 mA
Current - Standby — 30 mA
Lead-Free / Halogen-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену