H5AN8G8NCJR-UHC vs H5AN8G8NCJR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC ✓ 生産中
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H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.88 $2.40
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
メモリ構成 1G x 8 1G x 8 (x8)
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
パッケージ FBGA-78 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount (BGA) Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS Code Yes —
REACH Compliance Yes (per distributor record) —
Lead-Free Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) —
ハロゲンフリー Yes —
Part Life Cycle Code Active —
Access Type Synchronous, both clock edges (DDR) —
Memory Configuration Bank-group architecture DDR4 —
Die Revision CJR (C-die family) —
Manufacturer SK hynix Inc. —
メモリサイズ — 8 Gb (1 GB)
Interface Voltage (VDDQ) — 1.2 V (SSTL12)
データレート — [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)]
Architecture — CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked
Bank Structure — 8 internal banks, bank-group architecture
Burst Length — BL8
特長 — ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh
Die Revision Family — CJR (H5AN8G8NCJR-xxC)
RoHS ステータス — Lead-Free & Halogen-Free
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Typical Applications — PC/server main memory, embedded solder-down memory

データシート&リソース

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