H5AN8G8NCJR-UHC vs H5AN8G8NCJR-PBC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NCJR-UHC от SK hynix и H5AN8G8NCJR-PBC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G8NCJR-UHC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,88 | $2,40 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Корпус | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS Code | Yes | — |
| REACH Compliance | Yes (per distributor record) | — |
| Lead-Free | Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Part Life Cycle Code | Active | — |
| Access Type | Synchronous, both clock edges (DDR) | — |
| Memory Configuration | Bank-group architecture DDR4 | — |
| Die Revision | CJR (C-die family) | — |
| Manufacturer | SK hynix Inc. | — |
| Размер памяти | — | 8 Gb (1 GB) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Скорость передачи данных | — | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| Особенности | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Статус RoHS | — | Lead-Free & Halogen-Free |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |