H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-XNC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-VKC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-XNC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $28.13 $30.69
メモリタイプ DDR4 SDRAM (volatile) DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 1G x 8 —
データレート 2666 Mbps/pin 3200 Mbps (DDR4-3200)
Clock Frequency 1.6 GHz 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) —
Operating Current (typ) 30 mA —
Standby Current (typ) 3 mA —
動作温度 0C to +85C 0 C to +85 C
パッケージ FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース Parallel (DDR4) DDR4 (8-bit data interface)
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh period] —
メモリ構成 — 1 Gb x 8
電源電圧 — 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal)
Architecture — Bank-group based DDR4
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Calibration — ZQ calibration, write leveling
Error Handling — CRC function
Reset — Asynchronous reset
Data Mask — Data mask function
Current - Operating — 39 mA
Current - Standby — 30 mA
Lead-Free / Halogen-Free — Yes

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