H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NDJR-XNC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-XNC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NDJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC ✓ 生産中
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H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NDJR-XNC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $30.69 $24.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit 8 Gbit (1 G x 8)
メモリ構成 1 Gb x 8 —
データレート 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Clock Frequency 1.6 GHz 1.6 GHz (I/O clock)
電源電圧 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) —
パッケージ 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
動作温度 0 C to +85 C —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース DDR4 (8-bit data interface) Parallel
Architecture Bank-group based DDR4 —
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
Calibration ZQ calibration, write leveling —
Error Handling CRC function —
Reset Asynchronous reset —
Data Mask Data mask function —
Current - Operating 39 mA —
Current - Standby 30 mA —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Operating Temperature (TC) — 0°C to +95°C
Memory Organization — 1G x 8
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Packaging — Tray
Status — Active

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