H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NDJR-XNC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NCJR-XNC от SK hynix и H5AN8G8NDJR-XNC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NDJR-XNC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $30,69 $24,50
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit 8 Gbit (1 G x 8)
Организация памяти 1 Gb x 8 —
Скорость передачи данных 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Clock Frequency 1.6 GHz 1.6 GHz (I/O clock)
Напряжение питания 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) —
Корпус 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Рабочая температура 0 C to +85 C —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Интерфейс DDR4 (8-bit data interface) Parallel
Architecture Bank-group based DDR4 —
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
Calibration ZQ calibration, write leveling —
Error Handling CRC function —
Reset Asynchronous reset —
Data Mask Data mask function —
Current - Operating 39 mA —
Current - Standby 30 mA —
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Operating Temperature (TC) — 0°C to +95°C
Memory Organization — 1G x 8
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Packaging — Tray
Status — Active

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену