H5ANAG4NBJR-RDC vs MT40A2G8AG-062E 比較

詳細な並列比較: H5ANAG4NBJR-RDC メーカー: SK hynix および MT40A2G8AG-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG4NBJR-RDC MT40A2G8AG-062E
ブランド SK hynix Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.75 $9.75
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 16 Gbit
メモリ構成 4G x 4 2G x 8
Supply Voltage VDD 1.2 V 1.2 V
データレート 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) —
パッケージ 78-ball FBGA 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Prefetch 16n (bank group architecture) —
インターフェース SSTL-12 —
特長 Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode —
Refresh Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] —
Operating Temperature (case) -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) —
Temperature Grade Suffix RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free —
RoHS ステータス Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) Compliant
VDDQ 1.2 V —
Product Family SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series —
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Clock Frequency — 1600 MHz
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
CASレイテンシ — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Die Revision — AG (current generation)

データシート&リソース

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