H5ANAG4NBJR-RDC vs MT40A2G8AG-062E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5ANAG4NBJR-RDC от SK hynix и MT40A2G8AG-062E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC ✓ Активен
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5ANAG4NBJR-RDC MT40A2G8AG-062E
Бренд SK hynix Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,75 $9,75
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 16 Gbit
Организация памяти 4G x 4 2G x 8
Supply Voltage VDD 1.2 V 1.2 V
Скорость передачи данных 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) —
Корпус 78-ball FBGA 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Prefetch 16n (bank group architecture) —
Интерфейс SSTL-12 —
Особенности Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode —
Refresh Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] —
Operating Temperature (case) -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) —
Temperature Grade Suffix RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free —
Статус RoHS Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) Compliant
VDDQ 1.2 V —
Product Family SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series —
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Clock Frequency — 1600 MHz
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
Задержка CAS — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Die Revision — AG (current generation)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену