H5ANAG4NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG4NBJR-UHC メーカー: SK hynix および H5ANAG4NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG4NBJR-UHC H5ANAG4NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-UHC ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG4NBJR-UHC H5ANAG4NBJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.09 $5.75
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 16 Gb (2 GB)
メモリ構成 256M x16 4G x 4
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Clock / Data Rate 1.6 GHz —
パッケージ FBGA-96 (PBGA96) 78-ball FBGA
動作温度 -40C to +95C —
インターフェース CMOS, DDR4 (double data rate) SSTL-12
Data Mask (DM) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
実装タイプ Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix)
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] —
Supply Voltage VDD — 1.2 V
データレート — 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet])
Prefetch — 16n (bank group architecture)
特長 — Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode
Refresh — Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option]
Operating Temperature (case) — -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions)
Temperature Grade Suffix — RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free
VDDQ — 1.2 V
Product Family — SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼