H5ANAG6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NBJR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN4G6NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.09 $6.15
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
インターフェース DDR4 (CMOS) CMOS, fully synchronous
パッケージ PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) —
Package Dimensions 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) —
Access Mode Multi Bank, Page Burst —
動作温度 -40C to +95C —
Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Supported (DM function) —
Asynchronous Reset Supported Yes
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Supported Yes
Write Leveling Supported Yes
CRC Supported —
Supply Voltage Class DDR4 (1.2 V class) —
RoHS ステータス RoHS Compliant —
REACH Compliance Compliant —
ECCN EAR99 —
HTS Code 8542.32.00.36 —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Max Data Rate [DATA_NEEDED: Max Data Rate] —
電源電圧 — 1.2 V
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
実装タイプ — Surface Mount
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Self Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask Function — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
CRC Function — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

データシート&リソース

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